隨機磁性元件報告

本報告依效能證據、研究缺口與系統挑戰，比較七類磁性元件，範圍涵蓋從sMTJ到p-bit。

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重建磁性運算綜述

跨層級重建，串連磁性元件物理、機率位元、演算法與基準證據，同時區分實驗與模擬結果。

編製一份重視來源批判的磁性機率運算技術報告，涵蓋隨機MTJ、自旋轉移力矩與自旋霍爾振盪器、SOT元件、磁性伊辛機、磁疇壁元件、斯格明子及p-bit。說明元件物理、熱致或驅動式隨機性、機率調控、讀寫電路、耦合，以及物理狀態如何實現取樣、貝葉斯推論、最佳化或神經形態工作負載。

區分已製作元件的量測、電路或FPGA展示、微磁或宏自旋模擬、解析估算及提案架構。針對每項結果，記錄元件堆疊與幾何結構、溫度、偏壓與脈衝條件、陣列規模、CMOS介面、隨機性與相關性測試、耐久性、良率或變異性，以及工作負載定義。將每個樣本或有效運算的能耗、吞吐量或每秒樣本數、延遲、面積、準確率或解的品質標準化；如有資料，也納入周邊設備、通訊、校準及主機運算額外負擔。

交付物理至演算法對應圖、證據等級表、p-bit轉移函數比較、元件與系統基準矩陣、特定工作負載結果、擴展性與變異性分析，以及未解問題清單。標示分母不相容之處，區分內在切換能耗與插座端系統能耗，避免將模擬結果外推至矽晶片，並為每項最新技術主張標註日期。

聚焦p-bit物理

僅將元件面向改為可調式隨機轉移函數與隨機性品質。

試用深度研究

編製一份重視來源批判的磁性機率運算技術報告，涵蓋隨機MTJ、自旋轉移力矩與自旋霍爾振盪器、SOT元件、磁性伊辛機、磁疇壁元件、斯格明子及p-bit。 說明元件物理、熱致或驅動式隨機性、機率調控、讀寫電路、耦合，以及物理狀態如何實現取樣、貝葉斯推論、最佳化或神經形態工作負載。

區分已製作元件的量測、電路或FPGA展示、微磁或宏自旋模擬、解析估算及提案架構。針對每項結果，記錄元件堆疊與幾何結構、溫度、偏壓與脈衝條件、陣列規模、CMOS介面、隨機性與相關性測試、耐久性、良率或變異性，以及工作負載定義。將每個樣本或有效運算的能耗、吞吐量或每秒樣本數、延遲、面積、準確率或解的品質標準化；如有資料，也納入周邊設備、通訊、校準及主機運算額外負擔。

交付物理至演算法對應圖、證據等級表、p-bit轉移函數比較、元件與系統基準矩陣、特定工作負載結果、擴展性與變異性分析，以及未解問題清單。標示分母不相容之處，區分內在切換能耗與插座端系統能耗，避免將模擬結果外推至矽晶片，並為每項最新技術主張標註日期。

聚焦演算法對應

僅將證據面向改為元件網路如何實現明確定義的取樣與伊辛工作負載。

試用深度研究

編製一份重視來源批判的磁性機率運算技術報告，涵蓋隨機MTJ、自旋轉移力矩與自旋霍爾振盪器、SOT元件、磁性伊辛機、磁疇壁元件、斯格明子及p-bit。說明元件物理、熱致或驅動式隨機性、機率調控、讀寫電路、耦合，以及物理狀態如何實現取樣、貝葉斯推論、最佳化或神經形態工作負載。

區分已製作元件的量測、電路或FPGA展示、微磁或宏自旋模擬、解析估算及提案架構。 針對每項結果，記錄元件堆疊與幾何結構、溫度、偏壓與脈衝條件、陣列規模、CMOS介面、隨機性與相關性測試、耐久性、良率或變異性，以及工作負載定義。 將每個樣本或有效運算的能耗、吞吐量或每秒樣本數、延遲、面積、準確率或解的品質標準化；如有資料，也納入周邊設備、通訊、校準及主機運算額外負擔。

交付物理至演算法對應圖、證據等級表、p-bit轉移函數比較、元件與系統基準矩陣、特定工作負載結果、擴展性與變異性分析，以及未解問題清單。標示分母不相容之處，區分內在切換能耗與插座端系統能耗，避免將模擬結果外推至矽晶片，並為每項最新技術主張標註日期。

稽核能耗與吞吐量

僅將指標面向改為分母一致的系統基準比較。

試用深度研究

編製一份重視來源批判的磁性機率運算技術報告，涵蓋隨機MTJ、自旋轉移力矩與自旋霍爾振盪器、SOT元件、磁性伊辛機、磁疇壁元件、斯格明子及p-bit。說明元件物理、熱致或驅動式隨機性、機率調控、讀寫電路、耦合，以及物理狀態如何實現取樣、貝葉斯推論、最佳化或神經形態工作負載。

區分已製作元件的量測、電路或FPGA展示、微磁或宏自旋模擬、解析估算及提案架構。針對每項結果，記錄元件堆疊與幾何結構、溫度、偏壓與脈衝條件、陣列規模、CMOS介面、隨機性與相關性測試、耐久性、良率或變異性，以及工作負載定義。 將每個樣本或有效運算的能耗、吞吐量或每秒樣本數、延遲、面積、準確率或解的品質標準化；如有資料，也納入周邊設備、通訊、校準及主機運算額外負擔。

交付物理至演算法對應圖、證據等級表、p-bit轉移函數比較、元件與系統基準矩陣、特定工作負載結果、擴展性與變異性分析，以及未解問題清單。標示分母不相容之處，區分內在切換能耗與插座端系統能耗，避免將模擬結果外推至矽晶片，並為每項最新技術主張標註日期。